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朗迅科技承担国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项并顺利结题

发布时间:2022-01-07 18:06  来源: IT商业新闻网    

  近日,朗迅科技参与国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项 —— GaN基新型电力电子器件关键技术综合绩效评价会议,至此,该项目顺利结题。

  

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  “战略性先进电子材料”重点专项——GaN基新型电力电子器件关键技术由西安电子科技大学敖金平教授牵头,总项目经费5156万元,其中中央财政经费1489万元。

  该项目由西安电子科技大学、南京大学、深圳大学、中国科学院微电子研究所、半导体研究所、中山大学、中科院纳米技术与纳米仿生研究所、香港科技大学深圳研究院、扬州扬杰电子、江苏能华微电子、西安交通大学和杭州朗迅科技有限公司等13家大学、科研院所及高科技企业联合申请,汇集了国内GaN基电力电子器件研究的主要优势单位和骨干研究力量。

  

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  该项目包括四个子课题,其中,课题四“高频高效率超小型GaN基功率开关电源模块”参与单位为深圳大学、西安交通大学和杭州朗迅科技有限公司。该课题由深圳大学刘新科博士牵头,朗迅科技组织包括徐振董事长在内的15人科研团队参与研发,课题总投资1428万元,其中中央财政经费161万元,朗迅科技自筹投入1200万元。课题四主要研究GaN器件动态导通电阻退化机理,发展相应退化抑制技术;突破适用于10MHz电源模块的新型高频软开关拓扑与控制技术,掌握10MHz DC-DC电源模块的集成技术与动态电阻稳定性控制技术,实现开关频率10MHz、转换效率>80%、输出功率10W的超小型和高效率的开关电源模块。实现基于GaN功率开关器件的DC-DC 功率模块样品:19-30V输入电压,5-12V输出电压,10MHz开关频率大于80%的转换效率,10W输出功率。技术指标获得第三方(工业和信息化部电子第五研究所)验证。发表论文9篇;申请发明专利9项。

  

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  宽禁带半导体材料GaN具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高临界击穿电场大、化学性质稳定等特点。因此,基于GaN材料制造的电力电子器件具有通态电阻小开关速度快、耐压高、耐高温性能好等特点。以氮化镓(GaN)基电力电子器件在高压、高转换效率、高功率密度等应用方面具有明显优势,不仅可以满足现代功率电子技术对高温、高功率、高频和抗辐射等恶劣条件的新要求,而且能显著提升电源管理系统的效率和节省能源消耗,可实现系统小型化、轻量化,大大降低成本,在国家节能减排的战略要求下具有十分重要的现实意义,助力于国家2030年碳达峰和2060年碳中和目标的实现,满足“提能效”和“降能耗”两大要求。GaN电力电子器件在便携式电子产品、无线通讯、新能源车辆、5G网络、开关电源、适配器等领域有着非常广阔的应用前景,发展氮化镓电力电子器件也是国家解决“卡脖子”问题的一个重要内容!

  在开关电源领域,如何使电源模块小型化、高频化、高效化是一个难题,GaN基电力电子器件的出现给电源模块小型化提供了一个改进方向,对于推动我国产业转型与高技术竞争力提升具有重要的技术支撑作用。随着4G/5G的应用,移动通信实现了数量吞吐量的空间增长,功率放大器是移动终端中耗电最高的器件之一。

  朗迅科技参与研发的超小型高效电源模块适合用于4G/5G基站,可促进基站电源小型化与智能化的发展。未来,朗迅科技将继续在氮化镓电力电子器件开展更深入的研究,强化“芯”实力!

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